| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (1) angegeben, bei dem eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zum Erzeugen und/oder Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist, auf einem Aufwachssubstrat (29) abgeschieden wird. Die Halbleiterschichtenfolge wird an einem Träger (5) befestigt. Eine Mehrzahl von Ausnehmungen (6), die sich durch den Träger, die zweite Halbleiterschicht und den aktiven Bereich hindurch in die erste Halbleiterschicht hinein erstrecken, wird ausgebildet. Auf einer der Halbleiterschichtenfolge abgewandten ersten Hauptfläche (51) des Trägers werden erste Kontakte (8) ausgebildet, die im Bereich der Ausnehmungen jeweils mit der ersten Halbleiterschicht elektrisch leitend verbunden sind. Der Träger mit der Halbleiterschichtenfolge wird in die Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips vereinzelt, wobei jeder Halbleiterchip zumindest eine Ausnehmung aufweist. Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben. |
