Verfahren zur Herstellung von Si-Ge enthaltenden Drain/Source-Gebieten in Transistoren mit geringerem Si/Ge-Verlust

摘要

Verfahren mit: Bilden eines Maskenmaterials über einer Gateelektrode eines p-Kanal-Transistors; Bilden eines verformten, Silizium und Germanium aufweisenden Materials in einer Vertiefung, die benachbart zu der maskierten Gateelektrode des p-Kanal-Transistors ausgebildet ist, um das Kanalgebiet des p-Kanal-Transistors zu verformen; Bilden einer Schutzschicht auf dem verformten, Silizium und Germanium aufweisenden Material; und Bilden von Drain- und Sourceerweiterungsgebieten und Bilden von weiteren Drain- und Sourcegebieten zumindest teilweise in dem Silizium und Germanium aufweisenden Material jeweils bei Anwesenheit der Schutzschicht.