| 发明名称 | 静电放电保护电路 | ||
| 摘要 | 一种静电放电保护电路，包括：静电放电输入端、接地端，位于所述静电放电输入端、接地端之间的若干静电放电保护单元，所述静电放电保护单元并联设置，静电放电保护单元包括NMOS晶体管、电容、第一电阻、第二电阻，所述电容的第一端与静电放电输入端相连接，所述电容的第二端与第二电阻的第一端、NMOS晶体管的栅极相连接，所述第一电阻的第一端与静电放电输入端相连，所述第二电阻的第二端与所述第一电阻的第二端、NMOS晶体管的漏极相连接，所述NMOS晶体管的源极和衬底与接地端相连接。利用所述电容和第二电阻，使得NMOS晶体管的栅极电压大于0V，有利于降低NMOS晶体管的触发电压，提高静电放电保护电路的导通均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN103545306A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201210241828.7 | 申请日期 | 2012.07.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 冯军宏;甘正浩 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种静电放电保护电路，其特征在于，包括：静电放电输入端、接地端，位于所述静电放电输入端、接地端之间的若干静电放电保护单元，所述静电放电保护单元并联设置，且所述静电放电保护单元包括NMOS晶体管、电容、第一电阻、第二电阻，所述电容的第一端与静电放电输入端相连接，所述电容的第二端与第二电阻的第一端、NMOS晶体管的栅极相连接，所述第一电阻的第一端与静电放电输入端相连，所述第二电阻的第二端与所述第一电阻的第二端、NMOS晶体管的漏极相连接，所述NMOS晶体管的源极和衬底与接地端相连接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||