发明名称 |
一种高饱和磁感强度和低铁损的铁基非晶薄带及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及磁性功能材料领域,涉及一种Fe基非晶态合金,所述Fe基非晶态合金的化学式为FeaSibBcCdOe,其中a为79至88at%,b为0.2至18at%,c为2至18at%,d为0.01至5at%,e为0.001至0.2at%。从所述Fe基非晶态合金的自由面或贴辊面两个表面到其内部的O浓度分布在深度1至20nm内出现富集层,且富集层厚度1-10nm,C浓度自表面开始逐步递减,并在浓度2-8nm处出现一个浓度平台,Si浓度在深度1-15nm处出现浓度最高值,B浓度在1-15nm处出现浓度最高值。本发明的Fe基非晶态合金的饱和磁感应强度Bs在1.62T以上,矫顽力Hc在3.6A/m以下,损耗P14/50在0.42W/kg以下,具有高饱和磁感应强度和低铁芯损耗,适用于变压器、发动机、发电机和扼流圈、磁传感器等。 |
申请公布号 |
CN102787282B |
申请公布日期 |
2014.01.29 |
申请号 |
CN201210298800.7 |
申请日期 |
2012.08.21 |
申请人 |
安泰科技股份有限公司 |
发明人 |
周少雄;董帮少;李德红;陈文智;张淑兰 |
分类号 |
C22C45/02(2006.01)I;C22C33/04(2006.01)I;B22D11/06(2006.01)I;H01F1/047(2006.01)I |
主分类号 |
C22C45/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京中安信知识产权代理事务所(普通合伙) 11248 |
代理人 |
张小娟 |
主权项 |
一种高饱和磁感强度和低铁损的Fe基非晶薄带,其特征在于:其Fe基非晶合金的化学式为FeaSibBcCdOe,其中按原子百分比,a为100‑b‑c‑d‑e%,b为0.2至18%,c为2至18%,d为0.01至5%,e为0.001至0.2%;该非晶薄带的两侧面到中间,有至少一个元素偏析层,该元素偏析层与侧面距离为1‑20nm,偏析元素为O、C、Si或B中的至少一种;其中所述元素偏析层为:从所述Fe基非晶态合金的自由面或贴辊面两个表面到其内部的O浓度分布在深度1至20nm内出现富集层,且富集层厚度1‑10nm,C浓度自表面开始逐步递减,并在深度2‑8nm处出现一个浓度平台,Si浓度在深度1‑15nm处出现浓度最高值,B浓度在1‑15nm处出现浓度最高值。 |
地址 |
100081 北京市海淀区学院南路76号 |