| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有用于使金属离子聚集的虚设有源区且能够防止由于金属离子污染所致的器件故障。该半导体器件包括：由半导体基板中的隔离层限定且以离子注入法注入有杂质的有源区、以及以离子注入法注入有杂质的虚设有源区，其中，虚设有源区被注入的杂质的浓度比有源区中的杂质的浓度高，并且虚设有源区构造为聚集金属离子。 | ||
| 申请公布号 | CN103545351A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201210545435.5 | 申请日期 | 2012.12.14 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 金钟一 |
| 分类号 | H01L29/36(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：多个有源区，其由半导体基板中的隔离层限定，并且注入有第一浓度的杂质离子；以及虚设有源区，其注入有第二浓度的杂质离子，并且构造为聚集金属离子，所述第二浓度比所述第一浓度的杂质离子浓度高。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||