半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面形成有绝缘层，绝缘层内具有贯穿其厚度的开口，开口内形成有与绝缘层表面齐平的多晶硅电极层；形成覆盖半导体衬底和多晶硅电极层表面的铝薄膜；形成覆盖铝薄膜的金属层；对形成金属层后的上述结构进行退火处理，使铝薄膜中的铝进入开口底部替代多晶硅电极层，形成位于半导体衬底表面的铝层，而多晶硅电极层中的多晶硅转移至开口顶部，并与金属层发生反应形成位于铝层表面的金属硅化物层；化学机械抛光位于所述半导体衬底表面的金属层、铝薄膜、金属硅化物层，直至暴露出所述绝缘层表面。形成的半导体器件的性能稳定。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有绝缘层，所述绝缘层内具有贯穿其厚度的开口，所述开口内形成有与所述绝缘层表面齐平的多晶硅电极层；形成覆盖所述半导体衬底和多晶硅电极层表面的铝薄膜；形成覆盖所述铝薄膜的金属层；对形成金属层后的上述结构进行退火处理，使所述铝薄膜中的铝进入开口底部替代多晶硅电极层，形成位于所述半导体衬底表面的铝层，而多晶硅电极层中的多晶硅转移至开口顶部，并与金属层发生反应形成位于所述铝层表面的金属硅化物层；化学机械抛光位于所述半导体衬底表面的金属层、铝薄膜、金属硅化物层，直至暴露出所述绝缘层表面。