PVD制备TiN的方法

摘要

本发明公开了一种PVD制备TiN的方法，包括：在充有氮气和稀有气体的真空条件下，使得稀有气体辉光放电形成稀有气体离子；利用氮气将晶片表面以及Ti靶台表面氮化；稀有气体离子在电场加速下轰击Ti靶台表面，溅射出TiN以及Ti离子；TiN在磁场作用下沉积在晶片表面形成TiN层，而Ti离子入射在晶片表面而使得TiN层具有应力；其特征在于：提高Ti离子入射到晶片表面的动能，从而提高TiN层的非晶化率，进而提高TiN层的应力。依照本发明的PVD制备TiNx的方法，通过控制工艺参数而提高Ti离子入射到晶片上的动能，从而提高了TiNx非晶化率进而提高了TiNx薄膜的应力。

主权项

一种PVD制备氮化钛的方法，包括：在充有氮气和稀有气体的真空条件下，使得稀有气体辉光放电形成稀有气体离子；利用氮气将晶片表面以及钛靶台表面氮化；稀有气体离子在电场加速下轰击钛靶台表面，溅射出钛离子以及氮化钛；氮化钛在磁场作用下沉积在晶片表面形成氮化钛层，而同时钛离子入射在晶片表面而使得氮化钛层具有应力；其特征在于：提高钛离子入射到晶片表面的动能，从而提高氮化钛层的非晶化率，进而提高氮化钛层的应力。