| 发明名称 | 一种大功率压接式IGBT封装模块 | ||
| 摘要 | 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种大功率压接式IGBT封装模块。上端盖子、子模块、门极针、下端底座，上端盖子盖于下端底座上，所述子模块设置于上端盖子和下端底座之间，所述门极针设置于下端底座中绝缘底板的凹槽内。所述子模块包括顶部钼片、芯片、底部钼片、导电银片和PBI高性能塑料框架，在所述PBI高性能塑料框架的槽面内顶部钼片、芯片、底部钼片和导电银片自上到下依次压接，所述顶部钼片的上表面与上端盖子的下表面电极接触，所述子模块里导电银片的下表面与下端底座中凸台的上表面压接。本发明具有制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103545269A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201310341881.9 | 申请日期 | 2013.08.07 |
| 申请人 | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网上海市电力公司 | 发明人 | 苏莹莹;张朋;刘文广;韩荣刚;包海龙;张宇;刘隽;车家杰 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/06(2006.01)I;H01L23/10(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种大功率压接式IGBT封装模块，其特征在于，所述IGBT封装模块包括上端盖子、子模块、门极针和下端底座；所述上端盖子盖于下端底座上，所述子模块设置于上端盖子和下端底座之间，所述门极针设置于下端底座中绝缘底板的凹槽内。 | ||
| 地址 | 100031 北京市西城区西长安街86号 | ||