堆叠的扇出半导体芯片

摘要

本发明涉及堆叠的扇出半导体芯片。描述了堆叠的半导体器件以及制作堆叠的半导体器件的方法。所述半导体器件可包括具有多个嵌入的半导体芯片的重构基层。第一再分配层可以接触所述嵌入芯片的导电接触并且延伸到所述嵌入芯片的一个或多个的边界之外，形成扇出区域。另一个芯片可以被堆叠在嵌入在所述基层中的芯片的上面并且通过第二再分配层被电连接到所述嵌入芯片。在所述半导体器件中可包括芯片的另外的层。

主权项

一种半导体器件，包括：具有第一半导体芯片的基层，所述第一半导体芯片在所述第一半导体芯片的第一侧具有至少一个导电接触；与所述第一半导体芯片的所述至少一个导电接触接触的第一再分配层，其中所述第一再分配层延伸到所述第一半导体芯片的边界之外；具有第一侧和第二侧的第二半导体芯片，所述第二半导体芯片在所述第二半导体芯片的第一侧具有至少一个导电接触；和放置在所述第一半导体芯片的第一侧和所述第二半导体芯片的第二侧之间的粘合剂层，其中所述第二半导体芯片被直接放置在所述粘合剂层上。