垂直结构半导体器件

摘要

本发明公开了一种制造具有提高的光输出的新的垂直结构化合物半导体器件的可靠方法以及一种用于大规模生产GaN基化合物半导体器件的激光剥离工艺。本发明的主旨在于在LLO之前，通过电镀法来采用直接金属支撑衬底沉积，以形成n侧顶部垂直结构。此外，紧接着p接触层采用ITO DBR层，以通过更高的反射率提高光输出。穿孔金属晶片载体也用于晶片键合，用以容易地处理以及松解。相比于传统LLO基垂直器件制造，新的制造工艺更可靠。与通过相同的GaN/InGaN外延膜制造的横向器件的光输出相比，具有n侧上部结构的新的垂直器件的光输出增加了2或3倍。

主权项

一种半导体结构，其包括：第一缓冲层，包括GaN和AlN中的至少一个；第二缓冲层，包括AlGaN；包括n‑GaN的层；包括AlInGaN的层；包括p‑GaN的层；电接触层结构，形成在包括p‑GaN的所述层上方；金属层，形成在所述电接触层结构上方；以及粘附层，形成在所述电接触层结构和所述金属层之间；其中，所述金属层包括：包括铜或铜合金的第一金属层，形成在所述电接触层结构上方；和包括铜或铜合金的第二金属层，形成在所述第一金属层上方，其中，所述第一金属层的电镀速率低于所述第二金属层的电镀速率。