发明名称 像素阵列、图像传感器及补偿局部暗电流的方法
摘要 提供一种像素阵列、图像传感器及补偿局部暗电流的方法。提供一种用于图像传感器的像素阵列。所述像素阵列包括暗像素,该暗像素被构造为检测有源像素块中的局部暗电流。所述暗像素与光学黑色像素块不同,其中,所述光学黑色像素块被布置在有源像素块周围并被构造为检测全局暗电流。所述像素阵列被构造为补偿暗阴影,其中,所述暗阴影不通过使用从布置在有源像素块内的暗像素输出的局部暗电流的全局暗电流补偿进行补偿。
申请公布号 CN103546701A 申请公布日期 2014.01.29
申请号 CN201310292452.7 申请日期 2013.07.12
申请人 三星电子株式会社 发明人 赵镛性;李东宰;金泰瓒
分类号 H04N5/361(2011.01)I;H04N5/374(2011.01)I;H04N5/378(2011.01)I 主分类号 H04N5/361(2011.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 王艳娇;王占杰
主权项 一种图像传感器的像素陈列,包括:有源像素块,包括多个有源像素和至少一个暗像素,其中,所述多个有源像素被构造为输出与光信号相应的电信号,所述至少一个暗像素被构造为产生局部暗电流;光学黑色像素块,被布置在有源像素块周围并被构造为产生全局暗电流。
地址 韩国京畿道水原市