具有减小的字线电阻的竖直栅极器件

摘要

本发明公开一种具有减小的字线电阻的半导体器件，所述半导体器件包括具有主侧的基板。第一柱相对于基板的主侧竖直地延伸，该第一柱限定有第一导电区域、第二导电区域以及设置在第一和第二导电区域之间的沟道区。第一栅极设置在第一柱的沟道区上方。埋入式字线在第一柱下方沿第一方向延伸，埋入式字线构造为将第一控制信号提供至第一栅极。第一介入部与埋入式字线和第一栅极连接，以使第一控制信号能够通过埋入式字线施加到第一栅极。

主权项

一种半导体器件，包括：基板，其具有主侧；第一柱，其相对于所述基板的主侧竖直延伸，所述第一柱限定有第一导电区域、第二导电区域和设置在所述第一导电区域与所述第二导电区域之间的沟道区；第一栅极，其设置在所述第一柱的沟道区上方；埋入式字线，其在所述第一柱下方沿第一方向延伸，所述埋入式字线构造成将第一控制信号提供至所述第一栅极；以及第一介入部，其将所述埋入式字线和所述第一栅极连接在一起以使所述第一控制信号能够经由所述埋入式字线施加到所述第一栅极。