发明名称 | 固体拍摄装置 | ||
摘要 | 本发明提供固体拍摄装置,具备:第1光电变换部,其在半导体基板形成,将入射光变换为信号电荷;传输晶体管,其在上述半导体基板形成,传输由上述第1光电变换部变换的上述信号电荷;第1浮置扩散层,其在上述半导体基板形成,蓄积由上述传输晶体管传输的上述信号电荷;复位晶体管,其在上述半导体基板形成,使在上述第1浮置扩散层蓄积的上述信号电荷复位;以及放大晶体管,其在上述半导体基板形成,放大在上述第1浮置扩散层蓄积的上述信号电荷;其中,上述复位晶体管的源极区域、漏极区域及上述源极区域和上述漏极区域间的沟道区域在上述半导体基板布局为L字型。 | ||
申请公布号 | CN103545326A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
申请号 | CN201310070315.9 | 申请日期 | 2013.03.06 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 下村亚衣;矢神贵规 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘瑞东;陈海红 |
主权项 | 一种固体拍摄装置,具备:第1光电变换部,其在半导体基板形成,将入射光变换为信号电荷;传输晶体管,其在上述半导体基板形成,传输由上述第1光电变换部变换的上述信号电荷;第1浮置扩散层,其在上述半导体基板形成,蓄积由上述传输晶体管传输的上述信号电荷;复位晶体管,其在上述半导体基板形成,使在上述第1浮置扩散层蓄积的上述信号电荷复位;以及放大晶体管,其在上述半导体基板形成,放大在上述第1浮置扩散层蓄积的上述信号电荷;其中,上述复位晶体管的源极区域、漏极区域及上述源极区域和上述漏极区域间的沟道区域在上述半导体基板布局为L字型。 | ||
地址 | 日本东京都 |