一种制备氮化硼单晶的装置及方法

摘要

本发明提供一种制备氮化硼单晶的设备及方法，所述方法包括如下步骤（1）提供一衬底，所述衬底放置在反应部内部的支撑部上；（2）启动加热部，将衬底加热至一第二温度；（3）将反应气体及载气通入所述反应部中，以在衬底上生长氮化硼单晶；其中，所述反应气体为三氯化硼和氨气。本发明的优点在于：1、三氯化硼和氨气作为反应气体以制备氮化硼单晶，以氮化硼多晶或刚玉作为反应部的材料，避免三氯化硼对反应部的腐蚀。2、采用感应加热，可得到晶格质量高的氮化硼单晶。3、使用气相外延技术，可以在较大衬底生长氮化硼单晶，能够制备大尺寸的氮化硼单晶且生长速度快。4、生长设备简单，用材料易得，成本较低，可用于大规模生产。

主权项

一种制备氮化硼单晶的设备，包括反应部、加热部及支撑部，待生长氮化硼单晶的衬底放置在反应部内部的支撑部上，所述加热部围绕所述反应部外壁，其特征在于，所述反应部包括一由刚玉或氮化硼多晶制成的内壁，所述加热部通有交流电，以在支撑部诱导产生感应电流，对衬底进行加热。