半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种具有外延LDD和Halo区域的晶体管器件及其制造方法。采用了外延与自对准各向异性刻蚀相结合的工艺，避免了现有的采用的离子注入以及退火工艺形成Halo和LDD区域制造方法中的问题，在不增加光刻掩膜数量和复杂性的基础上，彻底消除了离子注入造成的源漏区域凹槽表面处晶体结构的破坏，从而避免影响到后续源漏材料外的延生长，同时，本发明也不会因常规的离子注入而导致外延源漏的应力释放，从而保持了源漏应力及其抑制SCE和DIBL效应的效果。

主权项

一种半导体器件制造方法，用于制造具有外延LDD和Halo区域的晶体管，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入；形成栅极绝缘层、栅极，定义栅极图形；形成栅极间隙壁，其覆盖在所述栅极的顶部以及所述栅极和所述栅极绝缘层的侧壁上；形成源漏区域凹槽；在所述源漏区域凹槽内外延Halo材料层，所述Halo材料层具有第一掺杂元素；外延源漏区域，其向晶体管沟道区域提供应力，所述源漏区域具有第二掺杂元素，且第二掺杂元素的类型与第一掺杂元素的类型相反；各向同性刻蚀所述源漏区域，去除部分所述源漏区域材料，同时，去除位于所述栅极间隙壁正下方的部分Halo材料层并向晶体管沟道区域延伸一定的距离，剩余的Halo材料层形成了晶体管的Halo区域；外延LDD材料层，形成晶体管的LDD区域；形成源漏接触。