| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 一种氮化物半导体发光器件包括形成在发光部分的氮化铝或氧氮化铝的第一涂膜和形成在第一涂膜上的氧化铝的第二涂膜。第二涂膜的厚度至少为80nm并且至多为1000nm。这里，第一涂膜的厚度优选至少为6nm并且至多为200nm。 | ||
| 申请公布号 | CN101034727B | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN200710085508.6 | 申请日期 | 2007.03.07 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 川口佳伸;神川刚 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/028(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体发光器件，所述氮化物半导体发光器件包括形成在发光部分的氧氮化铝的第一涂膜和形成在所述第一涂膜上的氧化铝的第二涂膜，所述第二涂膜的厚度至少为80nm并且至多为1000nm，其中所述第一涂膜的厚度至少为6nm并且至多为200nm，并且所述氧氮化铝的氧含量至多为20原子％。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||