底部源极的功率器件及制备方法

摘要

本发明一般涉及一种半导体功率器件及其制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种具有底部源极的功率器件及其制备方法。该功率器件的底部源极从塑封体底部外露出来，而且该功率器件还具有可以选择是否从塑封体顶部外露的金属电极，以及包含减小衬底电阻的超薄芯片，从而提供具有极佳电气性能和散热性能的半导体功率器件。

主权项

一种底部源极的功率器件，其特征在于，包括：一金属基座单元，所述金属基座单元包含彼此分隔开的第一基座和第二基座，及分别设置在第一基座两侧的第三、第四基座；一倒装设置在第一、第二基座上的初级封装结构，设置在所述初级封装结构正面的多个焊接凸块分别焊接在第一、第二基座上；一设置在所述初级封装结构上方的桥形金属片，所述桥形金属片包含顶部金属片及连接在顶部金属片两侧并向下弯折的侧部金属片；其中，位于顶部金属片两侧的所述侧部金属片分别延伸至设置在第三基座顶部的凹槽内和设置在第四基座顶部的凹槽内，及位于所述初级封装结构背面的底部金属层通过导电材料焊接在所述顶部金属片的底面上；一将所述金属基座单元、初级封装结构、桥形金属片予以包覆的塑封体，其中，第一、第三、第四基座各自的底面均从所述塑封体的底面予以外露。