| 发明名称 | 浅沟槽隔离制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：在衬底上形成硬掩模层；光刻/刻蚀硬掩模层和衬底，形成多个第一沟槽和多个第二沟槽，其中，第一沟槽沿第一方向，第二沟槽沿垂直于第一方向的第二方向，并且第二沟槽的体积大于第一沟槽的体积；在第一和第二沟槽中沉积绝缘材料；平坦化绝缘材料、硬掩模层直至暴露衬底，形成浅沟槽隔离。依照本发明的浅沟槽隔离制造方法，在沟道宽度方向刻蚀填充较深、较宽的浅沟槽隔离，而在沟道长度方向刻蚀填充较浅、较窄的浅沟槽隔离，同时向NMOS和PMOS施加应力，增大其沟道区载流子迁移率，从而提高器件整体驱动能力。 | ||
| 申请公布号 | CN103545241A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201210244781.X | 申请日期 | 2012.07.13 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;张珂珂 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离的制造方法，包括：在衬底上形成硬掩模层；光刻/刻蚀硬掩模层和衬底，形成多个第一沟槽和多个第二沟槽，其中，第一沟槽沿第一方向，第二沟槽沿垂直于第一方向的第二方向，并且第二沟槽的体积大于第一沟槽的体积；在第一和第二沟槽中沉积绝缘材料；平坦化绝缘材料、硬掩模层直至暴露衬底，形成浅沟槽隔离。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||