| 发明名称 | 半导体器件和制造该半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明的半导体器件包括：熔丝图案，其位于第一层间绝缘膜上并彼此隔开预定距离；第二层间绝缘膜，其位于第一层间绝缘膜上并设置在熔丝图案之间；以及覆盖膜图案，其形成在熔丝图案和第二层间绝缘膜上，覆盖膜图案包括狭缝，狭缝使第二层间绝缘膜露出。 | ||
| 申请公布号 | CN103545289A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201310143405.6 | 申请日期 | 2013.04.23 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 金廷烈;崔基寿 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一熔丝图案和第二熔丝图案，其位于第一层间绝缘膜上并彼此隔开预定距离；第二层间绝缘膜，其在所述第一层间绝缘膜上设置于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间；以及覆盖膜图案，其设置在所述第一熔丝图案、所述第二熔丝图案和所述第二层间绝缘膜上并包括狭缝，所述狭缝使所述第二层间绝缘膜的一部分露出。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||