| 发明名称 | 用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法。所述用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物包括碱性化合物；多糖；与多糖一起的最佳含量的脂肪酸、脂肪酸的金属盐或者它们的混合物，以在晶体硅片的表面上均匀地形成具有微锥体结构的纹理，以便在降低光反射的同时最大化太阳能的吸收，从而提高发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103547654A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201280024311.0 | 申请日期 | 2012.03.09 |
| 申请人 | 东友精细化工有限公司 | 发明人 | 洪亨杓;李在连;林大成 |
| 分类号 | C09K13/02(2006.01)I;C23F1/24(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | C09K13/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 杨黎峰;石磊 |
| 主权项 | 一种用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物，按重量百分比计，包括：碱性化合物：0.1%至20%；多糖：10‑9%至10%；脂肪酸、脂肪酸的金属盐或者它们的混合物：10‑9%至10%；和水：余量至100%。 | ||
| 地址 | 韩国全罗北道益山市 | ||