金属栅极的形成方法

摘要

一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成伪栅；在所述半导体衬底表面形成介质层，介质层的表面与伪栅的表面齐平；去除所述伪栅，形成凹槽，在凹槽的底部和侧壁形成功能层；在凹槽内的功能层表面形成硅材料层，硅材料层的表面与介质层的表面平齐；在所述介质层和硅材料层表面形成铝金属层；在铝金属层表面形成硅捕获金属层；对所述半导体衬底进行退火，铝金属层中的铝与硅材料层中的硅发生交换，形成金属栅极，同时交换的硅与硅捕获金属层中的金属反应形成金属硅化物。硅捕获金属层消耗交换出来的硅，提高了铝金属层中的铝与硅材料层中的硅交换的速度和效率。

主权项

一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成伪栅；在所述半导体衬底表面形成介质层，介质层的表面与伪栅的表面齐平；去除所述伪栅，形成凹槽；在凹槽的底部和侧壁形成功能层；在凹槽内的功能层表面形成硅材料层，硅材料层的表面与介质层的表面平齐；在所述介质层和硅材料层表面形成铝金属层；在铝金属层表面形成硅捕获金属层；对所述半导体衬底进行退火，铝金属层中的铝与硅材料层中的硅发生交换，形成金属栅极，同时交换的硅与硅捕获金属层中的金属反应形成金属硅化物。