半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了制造半导体器件的方法。在一个实施例中，在工件之上形成材料层。工件包括第一部分、第二部分以及设置在第一部分和第二部分之间的硬掩模。图案化材料层，并在图案化材料层的侧壁上形成第一间隔件。去除图案化材料层，并将第一间隔件用作蚀刻掩模来工件的图案化第二部分。去除第一间隔件，并在工件的图案化第二部分的侧壁上形成第二间隔件。去除工件的图案化第二部分，并将第二间隔件用作蚀刻掩模来图案化工件的硬掩模。将硬掩模用作蚀刻掩模来图案化工件的第一部分。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在工件之上形成材料层，所述工件包括第一部分、第二部分以及设置在所述第一部分和所述第二部分之间的硬掩模；图案化所述材料层；在图案化材料层的侧壁上形成第一间隔件；去除所述图案化材料层；将所述第一间隔件用作蚀刻掩模来图案化所述工件的所述第二部分；去除所述第一间隔件；在所述工件的图案化第二部分的侧壁上形成第二间隔件；去除所述工件的所述图案化第二部分；将所述第二间隔件用作蚀刻掩模来图案化所述工件的所述硬掩模；以及将所述硬掩模用作蚀刻掩模来图案化所述工件的所述第一部分。