改善的III族氮化物缓冲层生长的方法

摘要

本发明公开以先进多重缓冲层技术生长高结晶质量III族氮化物外延层的方法。在实施例中，本发明的方法包括在氢化物气相外延处理系统的处理腔室中的合适衬底上形成含铝III族氮化物缓冲层。在缓冲层沉积期间，将卤化氢或卤素气体流入生长区内，以抑制均质颗粒形成。含铝低温缓冲物(如，AlN、AlGaN)及含铝高温缓冲物(如，AlN、AlGaN)的某些组合可用来改善后续生长的III族氮化物外延层的结晶质量及型态。可将缓冲物沉积于衬底上，或可将缓冲物沉积于另一个缓冲物的表面上。额外的缓冲层可被加入作为III族氮化物层(如，GaN、AlGaN、AlN)中的夹层。

主权项

一种在氢化物气相外延处理系统的处理腔室中沉积多重缓冲层的方法，包含下列步骤：在所述氢化物气相外延处理系统的所述处理腔室中提供衬底；通过下列步骤形成第一含铝III族氮化物缓冲层：将氨气流入所述处理腔室的生长区，流入一或多种含金属卤化物前驱物，所述一或多种含金属卤化物前驱物包括至少一种含卤化铝前驱物，以及同时将卤素气体或卤化氢气体流入所述生长区；以及通过下列步骤于所述第一缓冲层上形成第二含铝III族氮化物缓冲层：将氨气流入所述处理腔室的生长区，流入一或多种含金属卤化物前驱物，所述一或多种含金属卤化物前驱物包括至少一种含卤化铝前驱物，以及同时将卤素气体或卤化氢气体流入所述生长区。