一种正负胶工艺结合的微带线制造方法

摘要

本发明公开了一种正负胶工艺结合的微带线的制造方法，包括以下步骤：1）在玻璃片或者硅片上旋涂一层正胶作为器件释放的牺牲层；2）在正胶上用磁控溅射工艺沉积一层Cu金属作为电镀的种子层；3）在上述的Cu种子层上涂正胶，并光刻；4）电镀Ni作为微带线接地层；5）溅射Cu金属层；6）在上述得到的Cu层上面涂覆SU-8胶并光刻；7）溅射Cr/Cu电镀种子层；8）在SU-8介质层上涂胶、光刻；9）电镀微带线；10）用溶剂将正胶溶解，使以SU-8胶作为介质层的微带线器件从玻璃或硅片上释放下来。

主权项

一种正负胶工艺结合的微带线制造方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，在玻璃或者硅片上涂覆正胶作为器件释放的牺牲层；第二步，在正胶上溅射电镀种子层并涂胶、光刻，电镀Ni作为接地层；第三步，在上述得到的基片上溅射一层Cu金属层；第四步，涂覆SU‑8光刻胶并光刻出图形；第五步，在上述得到的图形上溅射Cr/Cu种子层；第六步，涂胶、光刻出微带线图形；第七步，电镀Ni/Au微带线；第八步，溶解掉正胶，得到以SU‑8光刻胶为介质层的微带线。