一种横向高压器件漂移区的制造方法

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于横向高压器件漂移区的耐压结构的工艺制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第一深槽，对第一深槽进行填充并形成第一导电类型杂质条；在横向高压器件漂移区上刻蚀出第二深槽，对第二深槽进行填充并形成第二导电类型杂质条；在横向高压器件漂移区上刻蚀出第三深槽，在第三深槽中填充介质形成介质槽，介质槽的两侧分别与第一导电类型杂质条和第二导电类型杂质条连接。本发明的有益效果为，缓解了器件比导通电阻与耐压的矛盾关系，并且介质槽形成折叠漂移区，可缩小有源区面积，能够显著降低比导通电阻。本发明尤其适用于横向高压器件漂移区的制造。

主权项

一种横向高压器件漂移区的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第一深槽，对第一深槽进行填充并形成第一导电类型杂质条；第二步：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第二深槽，对第二深槽进行填充并形成第二导电类型杂质条；第三步：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第三深槽，在第三深槽中填充介质形成介质槽，介质槽的两侧分别与第一导电类型杂质条和第二导电类型杂质条连接。