| 发明名称 | 反射光学元件和用于极紫外光刻的光学系统 | ||
| 摘要 | 为了减少活性氢对尤其位于EUV光刻装置内的反射光学元件的寿命的不利影响，提出了用于极紫外和软X射线波长区域的反射光学元件(50)，其包含具有多层系统(51)的反射表面，在该情况下，反射表面(60)包含具有由碳化硅或钌构成的最上层(56)的保护层系统(59)，保护层系统(59)具有在5nm和25nm之间的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN103547945A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201280024078.6 | 申请日期 | 2012.05.15 |
| 申请人 | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 | 发明人 | D.H.埃姆;P.休伯;S.米兰德;G.冯布兰肯哈根 |
| 分类号 | G02B1/10(2006.01)I;G02B5/08(2006.01)I;G02B27/00(2006.01)I;G02B19/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G02B1/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种用于极紫外和软X射线波长区域的反射光学元件，包含具有多层系统的反射表面，其中，所述反射表面(60)具有保护层系统(59)，所述保护层系统具有由碳化硅或钌构成的最上层(56)，所述保护层系统(59)具有在5nm和25nm之间的厚度。 | ||
| 地址 | 德国上科亨 | ||