发明名称 具有至少一个减小应力的适配元件的功率半导体模块
摘要 本发明提出了一种具有至少一个减小应力的适配元件的功率半导体模块,具有用于布置在冷却装置或基板上的基底的功率半导体模块。其中,基底具有绝缘材料体和布置在该绝缘材料体第一主面上的本身结构化且进而构造出导体轨迹的第一金属层。该绝缘材料体在第二主面上具有第二金属层。功率半导体构件布置在导体轨迹上且与之导电连接。在这个导体轨迹或另一导体轨迹上布置有第一适配元件并且在该第一适配元件上布置有联接元件,其中,适配元件面对第一联接元件的第一主面与该第一联接元件材料锁合且导电地连接,而第一适配元件面对所配属的导体轨迹的第二主面与该导体轨迹借助连接介质导电且材料锁合地连接。
申请公布号 CN103545298A 申请公布日期 2014.01.29
申请号 CN201310286990.5 申请日期 2013.07.09
申请人 赛米控电子股份有限公司 发明人 卡尔海因茨·奥古斯丁;约瑟夫·菲尔藤巴赫尔;乌尔里希·扎格鲍姆;于尔根·温迪施曼;彼得·贝克达尔
分类号 H01L25/07(2006.01)I;H01L23/10(2006.01)I 主分类号 H01L25/07(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 杨靖;车文
主权项 一种功率半导体模块,其具有用于布置在冷却装置(42)或基板(40)上的基底(2),其中,所述基底(2)具有绝缘材料体(20)、第一金属层(22)和第二金属层(24),其中,所述第一金属层(22)布置在所述绝缘材料体面对所述功率半导体模块的内部的第一主面上,并且所述第一金属层(22)是本身结构化的并进而构造出第一导体轨迹(220、222),所述第二金属层(24)布置在所述绝缘材料体背对所述功率半导体模块的内部的第二主面上,其中,功率半导体构件布置在导体轨迹(220、222)上且与之导电连接,并且其中,在此导体轨迹(220、222)或另一导体轨迹(220、222)上布置有第一适配元件(50),并且在所述适配元件(50)上布置有联接元件(60),其中,所述适配元件(50)面对所述第一联接元件(60)的第一主面(500)与所述第一联接元件(60)材料锁合且导电地连接,由此构造成第一连接方式,而所述第一适配元件(50)面对配属的导体轨迹(220、222)的第二主面(502)与所述配属的导体轨迹(220、222)借助连接介质(70)导电且材料锁合地连接,由此构造成第二连接方式。
地址 德国纽伦堡