| 发明名称 | 感测晶体管单元嵌入的电流感测晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及感测晶体管单元嵌入的电流感测晶体管。一种晶体管单元的区域集成在半导体本体内的半导体装置。多个晶体管单元形成功率晶体管，并且所述晶体管单元中的至少一个形成感测晶体管。第一源电极设置在半导体本体上，电连接至所述感测晶体管的晶体管单元，而与所述功率晶体管的晶体管单元电隔离。第二源电极设置在半导体本体上，并覆盖所述功率晶体管和所述感测晶体管两者的晶体管单元，并且以第二源电极仅电连接至功率晶体管的晶体管单元而与感测晶体管的晶体管单元电隔离的方式至少部分地覆盖第一源电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103545349A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201310293619.1 | 申请日期 | 2013.07.12 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 斯特芬·蒂伦;安德烈亚斯·迈塞尔;马库斯·曾德尔 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：半导体本体；晶体管单元的区域，集成在所述半导体本体内，多个所述晶体管单元形成功率晶体管，并且所述晶体管单元中的至少一个形成感测晶体管；第一源电极，设置在所述半导体本体上，电连接至所述感测晶体管的晶体管单元，而与所述功率晶体管的晶体管单元电隔离；以及第二源电极，设置在所述半导体本体上，覆盖所述功率晶体管和所述感测晶体管两者的晶体管单元，并以所述第二源电极仅电连接至所述功率晶体管的晶体管单元而与所述感测晶体管的晶体管单元电隔离的方式至少部分地覆盖所述第一源电极。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||