使用多层通路的3D集成电路

摘要

可形成穿透基板通路，其具有通过顶基板表面的顶部通路以及通过底基板表面的底部通路。顶部截面可具有对应设计规则的最小截面，且顶部深度可对应于可施行纵横比（aspect ratio）。可填充或栓塞顶部通路，从而可继续进行顶侧处理。底部通路可具有较大的截面，以利易于形成通过其中的导电路径。底部通路从背侧延伸至顶部通路的底部且在基板薄化后形成。从接合的顶部通路及底部通路移除牺牲性填充材料后，可形成导电路径以完成穿透基板通路。

主权项

一种穿透基板通路结构，从半导体基板的顶表面延伸至所述基板的底表面，所述穿透基板通路包括：至少一个第一通路部分，从所述顶表面延伸并进入所述基板；第二通路部分，从所述底表面延伸至所述第一通路部分；以及导电路径，由连续单一材料所形成，从所述顶表面至所述底表面在所述第一通路部分及所述第二通路部分内延伸。