发明名称 有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管
摘要 本发明公开了由下式(F)表示的有机半导体材料:<img file="DPA00001463020200011.GIF" wi="1404" he="254" />其中A表示由一个或多个芳环形成的环状共轭骨架结构,且R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>各自独立地表示被取代或未被取代的烷基。所述有机半导体材料具有高电子迁移率和高开/关比,且可以通过利用其溶液的溶液方法形成有机半导体薄膜。
申请公布号 CN102422449B 申请公布日期 2014.01.29
申请号 CN201080021008.6 申请日期 2010.05.11
申请人 大日精化工业株式会社;中山健一 发明人 中山健一;城户淳二;夫勇进;桥本洋平;小熊尚实;平田直毅
分类号 H01L51/30(2006.01)I;C07D209/48(2006.01)I;C07D409/14(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I 主分类号 H01L51/30(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 苗征;于辉
主权项 1.由下式(F)表示的有机半导体材料:<img file="FDA0000377718950000011.GIF" wi="1397" he="283" />其中A表示由一个或多个芳环形成的环状共轭骨架结构,R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>各自独立地表示直链或支链C<sub>1</sub>-C<sub>18</sub>烷基,或R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>各自独立地表示直链或支链C<sub>1</sub>-C<sub>18</sub>烷基,其中的氢原子部分地被相同数目的氟原子取代。
地址 日本东京都