发明名称 |
离子注入方法以及离子注入装置 |
摘要 |
本发明提供一种离子注入方法以及离子注入装置,其能够进行有效的离子注入。本发明的离子注入方法为基于混合式扫描的离子注入方法。该离子注入方法具有:预先设定离子注入时离子束的扫描速度以及物体的扫描速度的工序;及根据所设定的离子束的扫描速度以及物体的扫描速度而注入离子的工序。预先设定工序根据按照被离子照射的物体的表面形状而变化的离子束的各扫描振幅来设定多个离子束的扫描速度,以确保离子束的扫描频率恒定,并且设定与离子束的扫描速度对应的物体的扫描速度,以确保注入到物体表面的每单位面积的离子注入量恒定。 |
申请公布号 |
CN103545161A |
申请公布日期 |
2014.01.29 |
申请号 |
CN201310294160.7 |
申请日期 |
2013.07.12 |
申请人 |
斯伊恩股份有限公司 |
发明人 |
二宫史郎;越智昭浩 |
分类号 |
H01J37/304(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/304(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
徐殿军 |
主权项 |
一种离子注入方法,其通过混合式扫描进行离子注入,其特征在于,具有:预先设定离子注入时的离子束的扫描速度及物体的扫描速度的工序;及根据所设定的离子束的扫描速度及物体的扫描速度而注入离子的工序,所述预先设定的工序,根据按照被离子照射的物体的表面形状而变化的离子束的各扫描振幅来设定多个离子束的扫描速度,以确保离子束的扫描频率恒定,并设定与离子束的扫描速度所对应的物体的扫描速度,以确保注入到物体表面的每单位面积的离子注入量恒定。 |
地址 |
日本东京都 |