发明名称 |
一种基于表面等离子体的波导光耦合器及其制备工艺 |
摘要 |
一种基于表面等离子体的波导光耦合器及其制备工艺。首先在半导体硅(Si)上制备氧化锌(ZnO)薄膜,然后在此薄膜上溅射银(Ag)颗粒,从而制备出光耦合器的波导层。通过优化波导结构和几何参数,产生表面等离子体增强效果,从而使光在波导中传播时不再受衍射极限的限制。 |
申请公布号 |
CN102650711B |
申请公布日期 |
2014.01.29 |
申请号 |
CN201210168742.6 |
申请日期 |
2012.05.28 |
申请人 |
西安交通大学 |
发明人 |
杨树明;韩枫;李磊;张坤;胡庆杰;蒋庄德 |
分类号 |
G02B6/132(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/132(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
徐文权 |
主权项 |
一种基于表面等离子体的波导光耦合器的波导层制备方法,其特征在于,包括如下步骤:首先在硅(Si)基底(1)上通过射频磁控溅射工艺沉积金属氧化物薄膜(2),所述金属氧化物薄膜为ZnO薄膜,金属氧化物薄膜(2)的溅射功率为150W,转速为15r/min,溅射时间为7min,薄膜的厚度为40nm;其后通过气相沉积工艺对薄膜在大气气氛下进行热处理,保温后,再通过直流磁控溅射工艺沉积金属银(Ag)颗粒(3),由溅射时间来控制Ag颗粒(3)的形貌和厚度,Ag颗粒(3)溅射电流为0.3A,溅射时间为30s。 |
地址 |
710049 陕西省西安市咸宁西路28号 |