用于M位存储器单元的M+N位编程和M+L位读取

摘要

本发明描述一种存储器装置以及编程和/或读取过程，其以比所需阈值电压分辨率高的阈值电压分辨率来编程和/或读取存储器阵列中的单元。在编程非易失性存储器单元的过程中，此允许在编程期间放置更准确的阈值电压，且使得能够对编程干扰进行预补偿，从而增加对所述单元的任何后续读取或验证操作的准确度。在读取/感测存储器单元的过程中，增加的阈值电压分辨率允许更准确地解译所述存储器单元的经编程状态，且还使得能够更有效地使用例如卷积码、部分响应最大似然(PRML)、低密度奇偶校验(LDPC)、涡轮码和网格调制编码和/或解码等概率性数据编码技术，从而降低所述存储器的总错误率。

主权项

一种操作存储器的方法，其包含：利用一定数目个编程阈值电压电平中的选定编程阈值电压电平来编程所述存储器的选定存储器单元以对应于一定数目个逻辑窗状态中的一选定状态；其中通过将所述存储器单元的可使用阈值电压范围划分为一定数目个阈值电压范围来确定逻辑窗状态的所述数目；且其中通过将所述存储器单元的所述可使用阈值电压范围划分为一定数目个编程阈值电压范围来确定编程阈值电压电平的所述数目，每一编程阈值电压范围具有对应的标称阈值电压电平，其中编程阈值电压电平的所述数目大于所述存储器单元的逻辑窗状态的所述数目。