发明名称 |
改进的高容量低成本多态磁存储器 |
摘要 |
本发明的一个实施例包括多态电流切换磁存储器元件,其包括两个或多个磁隧道效应结(MTJ)的叠层,每个MTJ具有自由层并由在隔离层形成的播种层将其与所述叠层中的其他MTJ分开,所述叠层用于存储一位以上的信息,其中施加到所述存储器元件的不同电流电平使得切换到不同的状态。 |
申请公布号 |
CN103544983A |
申请公布日期 |
2014.01.29 |
申请号 |
CN201310054374.7 |
申请日期 |
2008.02.11 |
申请人 |
艾弗伦茨科技公司 |
发明人 |
R.Y.兰杨;P.克什特波德;R.K.马尔姆霍尔 |
分类号 |
G11C11/16(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/16(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李湘;卢江 |
主权项 |
一种多态电流切换磁存储器元件,包括:两个或更多个磁隧道效应结(MTJ)的叠层,每个MTJ具有自由层并且通过在隔离层上形成的播种层与所述叠层中的其他MTJ分开,所述叠层用于存储一位以上的信息,其中施加到所述存储器元件的不同电流电平使得切换到不同的状态,并且其中MTJ的势垒层各具有唯一的厚度,从而使得每个MTS在唯一切换电流下进行状态切换。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |