发明名称 改进的高容量低成本多态磁存储器
摘要 本发明的一个实施例包括多态电流切换磁存储器元件,其包括两个或多个磁隧道效应结(MTJ)的叠层,每个MTJ具有自由层并由在隔离层形成的播种层将其与所述叠层中的其他MTJ分开,所述叠层用于存储一位以上的信息,其中施加到所述存储器元件的不同电流电平使得切换到不同的状态。
申请公布号 CN103544983A 申请公布日期 2014.01.29
申请号 CN201310054374.7 申请日期 2008.02.11
申请人 艾弗伦茨科技公司 发明人 R.Y.兰杨;P.克什特波德;R.K.马尔姆霍尔
分类号 G11C11/16(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I 主分类号 G11C11/16(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 李湘;卢江
主权项 一种多态电流切换磁存储器元件,包括:两个或更多个磁隧道效应结(MTJ)的叠层,每个MTJ具有自由层并且通过在隔离层上形成的播种层与所述叠层中的其他MTJ分开,所述叠层用于存储一位以上的信息,其中施加到所述存储器元件的不同电流电平使得切换到不同的状态,并且其中MTJ的势垒层各具有唯一的厚度,从而使得每个MTS在唯一切换电流下进行状态切换。
地址 美国加利福尼亚州