发明名称 |
一种LPCVD沉积多晶硅的方法 |
摘要 |
本发明揭示了一种LPCVD沉积多晶硅的方法,通过在沉积之前分阶段升温,以及在沉积之后分阶段降温,从而使管壁上的沉积颗粒物在温度变化过程中能够脱落,然后利用同步的氮气吹洗,保证这些颗粒物不会对晶圆表面造成污染,不仅增加了多晶硅薄膜的沉积品质,同时由于减少内管在单次沉积过程中累计的沉积颗粒物,增加了内管的检修周期,从而提升了生产效率。 |
申请公布号 |
CN103540909A |
申请公布日期 |
2014.01.29 |
申请号 |
CN201210245113.9 |
申请日期 |
2012.07.13 |
申请人 |
无锡华润上华科技有限公司 |
发明人 |
权昊 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
常亮 |
主权项 |
一种LPCVD沉积多晶硅的方法,其特征在于:包括待机阶段、晶舟装载阶段、抽真空阶段、检漏阶段、内管清洗阶段、模拟沉积阶段、沉积阶段、后清除阶段、返压阶段以及晶舟卸载阶段,其中所述抽真空阶段和所述内管清洗阶段中具有升温步骤,该升温步骤将内管内的温度从待机温度升温到沉积温度,所述后清除阶段中具有降温步骤,该降温步骤将内管内温度从沉积温度降到待机温度。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |