PMOS晶体管及其形成方法

摘要

一种PMOS晶体管及其制作方法，所述方法包括：在单晶硅衬底上形成栅极结构，栅极结构包括栅介质层及栅电极；在衬底上形成位于栅极结构两侧的轻掺杂漏结构；在栅极结构两侧形成第一侧墙；在栅极结构两侧形成第二侧墙，第一侧墙位于栅极结构与第二侧墙之间；以栅极结构、第一侧墙及第二侧墙为掩模，在衬底中预形成源极及漏极的区域形成sigma形第一凹槽；在第一凹槽内形成硅锗材料。在栅极结构的两侧设置了第二侧墙之后，第一凹槽的凹槽尖端与衬底表面之间的距离增大，轻掺杂漏结构被去除得较少，保留的轻掺杂漏结构较多，能有效克服热电子效应，提高电路性能。

主权项

一种PMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供单晶硅衬底，在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括形成在衬底上的栅介质层及形成在所述栅介质层上的栅电极；在衬底上形成位于所述栅极结构两侧的轻掺杂漏结构；在所述栅极结构两侧形成位于所述轻掺杂漏结构上方的第一侧墙；在所述栅极结构两侧形成位于所述轻掺杂漏结构上方的第二侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构与所述第二侧墙之间，所述第二侧墙的材料与第一侧墙的材料不相同；以所述栅极结构、第一侧墙及第二侧墙为掩模，在衬底中预形成源极及漏极的区域形成sigma形第一凹槽；在所述第一凹槽内形成硅锗材料。