| 发明名称 | 一种用于制造非晶硅薄膜的激光装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种用于制造非晶硅薄膜的激光装置，包括激光系统、反应腔室、样品加热器、抽真空系统和进气系统。激光系统设有激光脉冲控制器，通过调节激光脉冲个数，控制非晶硅薄膜中磷或硼的掺杂程度。样品加热器主要对非晶硅薄膜进行加热，以提高掺杂效率。抽真空系统设有真空泵，通过真空泵对腔室抽真空；进气系统设有气体流量计及截止阀，以此控制反应气体进入的量。用激光对非晶硅薄膜进行磷或硼的掺杂，反应速度快，杂质激活率高，均匀性好，能制备光电性能较好的N型/P型非晶硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN203415609U | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201320466068.X | 申请日期 | 2013.08.01 |
| 申请人 | 国电光伏有限公司 | 发明人 | 范芳芳 |
| 分类号 | H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
| 主权项 | 一种用于制造非晶硅薄膜的激光装置，其特征在于：包括激光系统（1）、反应腔室（2）、样品加热器（3）、抽真空系统（4）和进气系统（5），激光系统（1）位于反应腔室（2）的正上方，抽真空系统（4）位于反应腔室（2）的右下方，进气系统（5）位于反应腔室（2）侧方，样品加热器（3）置于反应腔室（2）下方中央。 | ||
| 地址 | 214203 江苏省无锡市宜兴经济开发区东氿大道 | ||