绝缘体上硅CMOS技术的单粒子瞬变和翻转缓解

摘要

本发明涉及绝缘体上硅CMOS技术的单粒子瞬变和翻转缓解。提供缓解绝缘体上硅（SOI）互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路中辐射引起的单粒子效应（SEE）的电路和方法。由主逻辑门响应输入，生成主逻辑输出。如果不存在SEE，由冗余逻辑门响应输入，生成冗余逻辑输出，该冗余逻辑门复制主逻辑输出。由交错C门生成交错C门输出，该交错C门输出在主逻辑输出和冗余逻辑输出匹配时模拟反相器输出，并且在SEE过程中在主逻辑输出和冗余逻辑输出不匹配时不改变其输出。

主权项

缓解绝缘体上硅（SOI）互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路中辐射引起的单粒子效应（SEE）的方法，所述方法包括：由主逻辑门响应输入，生成主逻辑输出；如果不存在SEE，由冗余逻辑门响应所述输入，生成冗余逻辑输出，所述冗余逻辑门复制所述主逻辑输出；和由交错C门输出交错C门输出，所述交错C门输出在所述主逻辑输出匹配所述冗余逻辑输出时模拟反相器输出，并且在所述SEE过程中在所述主逻辑输出和所述冗余逻辑输出不匹配时不改变输出。