形成CMOS器件的方法

摘要

本发明提供一种形成CMOS器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括待形成PMOS晶体管的第一区域和待形成NMOS晶体管的第二区域，在所述第一区域或所述第二区域具有已形成的金属栅极结构，所述已形成的金属栅极结构包括顶部金属层，在另一区域具有高k介质层以及在所述高k介质层上的、待去除的氧化物夹层；对所述顶部金属层进行氧化处理，形成覆盖所述顶部金属层的金属氧化物层；以及湿法刻蚀去除所述金属氧化物层及所述氧化物夹层。通过氧化处理，在顶部金属层上形成致密的金属氧化物层保护所述顶部金属层，既能够避免形成额外的光刻胶层，降低成本，又能够避免对已经形成的金属栅极结构造成不良影响。

主权项

一种形成CMOS器件的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括待形成PMOS晶体管的第一区域和待形成NMOS晶体管的第二区域，在所述第一区域或所述第二区域具有已形成的金属栅极结构，所述已形成的金属栅极结构包括顶部金属层，在另一区域具有高k介质层以及在所述高k介质层上的、待去除的氧化物夹层；对所述顶部金属层进行氧化处理，形成覆盖所述顶部金属层的金属氧化物层；湿法刻蚀去除所述金属氧化物层及所述氧化物夹层；以及在所述高k介质层上形成金属栅极。