形成高K金属栅极器件的方法

摘要

本发明提供一种形成高K金属栅极器件方法，通过使用LPCVD工艺代替热氧化生成的方法形成牺牲氧化层，降低了牺牲氧化层的致密性以及与衬底之间的贴合性，在移除牺牲氧化层时所需要的湿法腐蚀时间会减少并且所使用湿法腐蚀酸的浓度也会降低，从而减少对层间介质层的损伤,并降低了对衬底界面层的负面影响，增加了高K金属栅极与衬底间绝缘性，提高了高K金属栅极器件的载流子迁移率。

主权项

一种形成高K金属栅极器件的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，采用LPCVD工艺在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层；在所述牺牲氧化层上形成多晶硅层；依次刻蚀所述多晶硅层、牺牲氧化层，形成由剩余的牺牲氧化层和多晶硅层堆叠的多晶硅虚拟栅极结构；在所述的多晶硅虚拟栅极的两侧形成侧墙；对所述多晶硅虚拟栅极结构两侧的半导体衬底进行源/漏极离子注入,形成源/漏极；在所述半导体衬底上形成层间介电层，所述层间介电层暴露出所述侧墙及多晶硅虚拟栅极结构的顶部；依次移除所述多晶硅虚拟栅极结构中的多晶硅层和牺牲氧化层，采形成一开口；在所述开口中依次填充氧化层、高K介质层和金属层，形成高K金属栅极结构。