| 摘要 |
Полупроводниковый преобразователь давления, содержащий мембрану с утолщенным периферийным основанием, с профилем, представляющим собой сочетание утонченных участков и жестких центров с концентраторами механических напряжений в месте расположения тензорезисторов, выполненную из кремния и легированную бором до концентрации не менее 5·10см, и имеющую толщину, равную высоте тензорезисторов с поверхностью, покрытой слоем двуокиси кремния, расположенным под коммутационными шинами и тензорезисторами, сформированными на закрепленном на мембране слое двуокиси кремния и выполненными из кремния, легированного бором до того же уровня концентрации, что и мембрана и объединенными с помощью коммутационных шин в мостовую измерительную схему, при этом поверхность мембраны со стороны тензорезисторов покрыта слоем толщиной не менее высоты тензорезисторов, отличающийся тем, что поверхность мембраны со стороны тензорезисторов покрыта изолирующим слоем нелегированного карбида кремния вокруг тензорезисторов, а мостовая измерительная схема включает в себя схему температурной компенсации, состоящую из двух полупроводниковых терморезисторов. |
