| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche mince de nanoreliefs ordonnés de silicium comprenant les étapes A) préparation d'un nanomasque réactif auto-organisé (RNM) constitué de MxM'yOz nommé RNM initial, en utilisant un nanomasque inorganique INP; B) dépôt par voie liquide dudit RNM initial sur un substrat de silicium ; C) transfert dudit nanomasque, MxM'yOz, dans le substrat de silicium par gravure à sec, par exposition dudit nanomasque, MxM'yOz, à un gaz plasma fluoré, entre 0,5 et 4 minutes en fonction de la constitution dudit gaz, transformant le MxM'yOz en un composant stable MF2 nommé nanomasque intermédiaire, qui permet d'obtenir, soit une couche mince nanoperforée soit un réseau ordonné de nanofils de silicium, présentant des dimensions et une périodicité liées à celles du RNM initial. L'invention concerne des couches minces nanoperforées obtenues par le procédé ci-dessus ainsi que l'utilisation de nanofils ordonnés de silicium dans des applications optiques et photoniques. |
