| 摘要 |
Dispositivo termoeléctrico (1) que presenta al menos: - una primera lámina metálica (2) con un primer espesor (3) del material, - una segunda lámina metálica (4) con un segundo espesor (5) del material, - un espacio intermedio (6) entre la primera lámina metálica (2) y la segunda lámina metálica (4), - un revestimiento de aislamiento eléctrico (7) sobre la primera lámina metálica (2) y la segunda lámina metálica (7)hacia el espacio intermedio (6), - una multitud de primeras partijas semiconductoras (8) y segundas partijas semiconductoras (9) que estáninmovilizadas en el espacio intermedio (6) sobre el revestimiento de aislamiento (7) y que están unidaseléctricamente una con otra, caracterizado por que la primera lámina metálica (2) es una lámina de acero con los componentes de aleación cromo y aluminio y presentaun primer espesor (3) del material que está en el intervalo de 30 μm a 300 μm, y la primera lámina metálica (2)presenta una capa de soporte de catalizador (11) en un lado exterior (10) alejado del revestimiento de aislamientoeléctrico (7). |
