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Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsanordnung (S) mit zumindest einem Halbleiterchip (9), wobei auf einem Substrat (1) zumindest ein Leiterbahnmuster (2) erzeugt wird und Kontakthügel (12) des Halbleiterchips (9) mit zugeordneten Kontaktflächen (2.1) des Leiterbahnmusters (2) kontaktiert werden, mit folgenden Verfahrensschritten in der angegebenen Reihenfolge: – Beschichten einer Fläche (11) des Halbleiterchips (9), welche die Kontakthügel (12) aufweist und/oder zumindest eines Kontaktierbereichs (4) des Substrats (1), auf welchen der Halbleiterchip (9) aufgesetzt wird, mit einem Adhäsivkleber (3), wobei bei einer Beschichtung des Halbleiterchips (9) die Kontakthügel (12) des Halbleiterchips (9) nicht beschichtet werden oder der Adhäsivkleber (3) von diesen entfernt wird, und/oder Herstellen des Leiterbahnmusters (2) zumindest im Kontaktierbereich (4) mit einem Leiterbahnmaterial, welches mit dem Adhäsivkleber (3) beschichtet ist, – Ausformen von Kontaktierwannen (6) durch ein Abtragen von Material aus Leiterbahnen (5) an Kontaktstellen des Leiterbahnmusters (2) über eine vorgegebene Ausdehnung und bis in eine vorgegebene Tiefe, wobei eine Oberfläche jeder Kontaktierwanne (6) jeweils eine Kontaktfläche (2.1) des Leiterbahnmusters (2) für einen der jeweiligen Kontaktfläche (2.1) zugeordneten Kontakthügel (12) des Halbleiterchips (9) bildet und wobei, wenn der Kontaktierbereich (4) des Substrats (1) mit dem Adhäsivkleber (3) beschichtet wurde, vor und/oder während des Abtragens des Materials aus den Leiterbahnen (5) der Adhäsivkleber (3) im Bereich der Kontaktstellen entfernt wird, – Einbringen eines Lotmaterials (17) oder eines elektrisch leitfähigen Klebers in die Kontaktierwannen (6) und/oder Aufbringen des Lotmaterials (17) oder des elektrisch leitfähigen Klebers auf die Kontakthügel (12), – Aufsetzen des Halbleiterchips (9) derart auf das Substrat (1), dass jeweils ein Kontakthügel (12) in eine Kontaktierwanne (6) hineinragt, und – Erwärmen des Halbleiterchips (9) und/oder des Kontaktierbereichs (4) des Substrats (1) in zumindest einem Erwärmungsprozess zum Verkleben des Halbleiterchips (9) mit dem Substrat (1) mittels des Adhäsivklebers (3) und zum Kontaktieren der Kontakthügel (12) des Halbleiterchips (9) mit den jeweiligen Kontaktflächen (2.1) des Leiterbahnmusters (2) mittels des Lotmaterials (17) bzw. des elektrisch leitfähigen Klebers. |
