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Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterchips, mit den Schritten: • Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer oberen Substratebene (1A), einer mittleren Substratebene (1B) und einer unteren Substratebene (1C); wobei in der mittleren Substratebene (1B) eine Mehrzahl von Hohlräumen (H0–H7) vorgesehen ist, die von einem jeweiligen Substratrahmenbereich (R0–R7) eingefasst sind; wobei die Hohlräume (H0–H7) derart unter einem jeweiligen von einem Halbleiterchip-Peripheriebereich (C0–C7) begrenzten Halbleiterchipbereich (B0–B7) in der oberen Substratebene (1A) angeordnet sind, dass der jeweilige Substratrahmenbereich (R0–R7) durch einen in dem jeweiligen Hohlraum (H0–H7) vorgesehenen lateralen Zwischenraum (Z0–Z7) von einer vertikalen Verlängerung des jeweiligen entsprechenden Halbleiterchip-Peripheriebereichs (C0–C7) beabstandet ist; wobei in den Hohlräumen (H0–H7) jeweils mindestens ein Substratstützelement (S0–S7) zum Verbinden der unteren Substratebene (1C) mit einem jeweiligen Halbleiterchipbereich (B0–B7) in der oberen Substratebene (1A) vorgesehen ist; wobei die Substratstützelemente (S0–S7) Säulen sind, deren Durchmesser wesentlich geringer ist als der Durchmesser der Substratrahmenbereiche (R0–R7); • laterales Trennen der Halbleiterchipbereiche (B0–B7)) durch Durchtrennen der oberen Substratebene (1A) entlang der vertikalen Verlängerung des jeweiligen Halbleiterchip-Peripheriebereichs (C0–C7); und • Vereinzeln der Halbleiterchipbereiche (B0–B7) in Halbleiterchips durch Durchtrennen der jeweiligen Substratstützelemente (S0–S7). |
