| 摘要 |
<p>Halbleitervorrichtung mit einer Super-Junction-Struktur, die Folgendes aufweist: eine Vielzahl von ersten Spalten (4), die einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweisen und sich in einer Stromflussrichtung erstrecken; und eine Vielzahl von zweiten Spalten (5), die einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen und sich in der Stromflussrichtung erstrecken, worin die ersten Spalten (4) und die zweiten Spalten (5) in einer Wechselrichtung senkrecht zu der Stromflussrichtung abwechselnd angeordnet sind, so dass die Super-Junction-Struktur bereitgestellt wird, jede erste Spalte (4) im Falle eines EIN-Zustands eine Drift-Schicht bereitstellt, durch die ein Strom fließt, die ersten Spalten (4) und die zweiten Spalten (5) zwischen der ersten Spalte (4) und der zweiten Spalte (5) eine Grenze aufweisen, von der sich im Falle eines AUS-Zustands eine Verarmungsschicht ausdehnt, jede der ersten Spalten (4) und der zweiten Spalten (5) an einer Ebene senkrecht zu der Stromflussrichtung ein Streifenplanarmuster aufweist, und wenigstens eine der ersten Spalten (4) und der zweiten Spalten (5) einen Brückenabschnitt (213) aufweist, der eine erste oder zweite Spalte (4, 5) und eine benachbarte erste oder zweite Spalte (4, 5) verbindet.</p> |
