| 发明名称 |
DISPOSITIF DE CHARGE A COURANT EXTREMEMENT FAIBLE POUR UN CIRCUIT INTEGRE |
| 摘要 |
<P>L'invention concerne un dispositif de charge à courant extrêmement faible pour un circuit intégré. </P><P>Il comporte une jonction intrinsèque-extrinsèque formée par une matiere semi-conductrice intrinsèque pure et une diffusion d'impuretés de conductibilité extrinsèque, dans une région de la matiere semi-conductrice intrinsèque. </P><P>L'invention s'applique notamment à une cellule de mémoire binaire.</P>
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| 申请公布号 |
FR2382744(A1) |
申请公布日期 |
1978.09.29 |
| 申请号 |
FR19770035027 |
申请日期 |
1977.11.22 |
| 申请人 |
MOSTEK CORP |
发明人 |
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| 分类号 |
G11C11/412;H01L21/768;H01L21/822;H01L21/8244;H01L23/535;H01L27/04;H01L27/07;H01L27/10;H01L27/11;H01L29/78;(IPC1-7):11C11/34;03K3/286;01L27/04 |
主分类号 |
G11C11/412 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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