| 摘要 |
Es ist eine Halbleitervorrichtung vorgesehen: Die Halbleitervorrichtung weist einen Halbleiterkörper und eine auf dem Halbleiterkörper angeordnete Sourcemetallisierung auf. Der Halbleiterkörper umfasst in einem Querschnitt ein Driftgebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps, eines erstes Bodygebiet eines zweiten Leitfähigkeitstyps, welches an das Driftgebiet angrenzt, ein erstes Kompensationsgebiet eines zweiten Leitfähigkeitstyps, welches an das erste Bodygebiet angrenzt, eine niedrigere maximale Dotierungskonzentration hat als das erste Bodygebiet und einen ersten pn-Übergang mit dem Driftgebiet bildet, und eine erste Ladungsfalle. Die erste Ladungsfalle grenzt an das erste Kompensationsgebiet an und weist eine Feldplatte und ein isolierendes Gebiet, welches an das Driftgebiet angrenzt und die Feldplatte teilweise umgibt, auf. Die Sourcemetallisierung ist in resistiver elektrischer Verbindung mit dem ersten Bodygebiet angeordnet. Ferner ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung vorgesehen. |
