发明名称 |
METHOD FOR ASSESSING THE QUALITY OF A BRICK SEPARATED FROM AN INGOT |
摘要 |
<p>Verfahren zur Qualitätsermittlung von zur Herstellung von Halbleiterbauelementen zu prozessierenden Siliciumwafern, die Abschnitte eines Bricks sind, der aus einem Ingot abgetrennt wird. Um eine Qualitätsaussage über einen zu prozessierenden Siliciumwafer, insbesondere einen solchen zur Herstellung einer Solarzelle vor Trennen des Wafers von dem Brick zu ermöglichen, wird vorgeschlagen, dass die Umfangsaußenflächen des Bricks ganzflächig oder im Wesentlichen ganzflächig in Bezug auf für die Qualität der Wafer charakteristische Parameter bewertet werden und dass aus Abschnitten des Bricks, die vorgegebene Parameterwerte erfüllen, die prozessierenden Wafer abgetrennt werden.</p> |
申请公布号 |
WO2014012953(A1) |
申请公布日期 |
2014.01.23 |
申请号 |
WO2013EP65042 |
申请日期 |
2013.07.17 |
申请人 |
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. |
发明人 |
HENDRICKS, ANDREAS;LEMKE, CHRISTIAN;SEIDL, ALBRECHT;BIRKMANN, BERNHARD;SIEGMUND, SEBASTIAN |
分类号 |
C30B33/00;H01L21/66 |
主分类号 |
C30B33/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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