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Feldeffekttransistor mit: einem Substrat (30) mit einer Dotierung eines ersten Leitfähigkeitstyps; einem Drainbereich (50, 52, 54) in dem Substrat (30) mit einer Dotierung eines zweiten, zu dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps; einem Sourcebereich (40) in dem Substrat (30), der von dem Drainbereich (50, 52, 54) lateral beabstandet ist, mit einer Dotierung des zweiten Leitfähigkeitstyps; einem Kanalbereich (98) in dem Substrat (30), der zwischen dem Sourcebereich (40) und dem Drainbereich (50, 52, 54) angeordnet ist; und einer Mehrzahl von Abschnitten (102) mit einer Dotierung des zweiten Leitfähigkeitstyps, die mit dem Drainbereich (50, 52, 54) in elektrischem Kontakt sind und sich ausgehend von dem Drainbereich (50, 52, 54) in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Oberfläche (32) des Substrats (30) in das Substrat (30) erstrecken, wobei die Abschnitte (102) in lateraler Richtung durch Zwischenräume (104), die unmittelbar an den Drainbereich (50, 52, 54) angrenzen und eine Dotierung des ersten Leitfähigkeitstyps aufweisen, voneinander beabstandet sind, so dass unterhalb des Drainbereichs (50, 52, 54) in lateraler Richtung alternierend Gebiete (102, 104) mit dem ersten Leitfähigkeitstyp und mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp angeordnet sind, wobei der Drainbereich einen hochdotierten Drainteilbereich (50) und einen niedrig dotierten Drainteilbereich (52, 54) mit einem oder mehreren Drainabschnitten aufweist, in dem oder in denen eine Dotierungskonzentration in Richtung zu dem Kanalbereich (98) kontinuierlich oder stufenweise abnimmt, und wobei die Abschnitte (102) nur unter dem hochdotierten Drainteilbereich (50) und dem niedrig dotierten Drainteilbereich (52, 54) angeordnet sind, so dass eine minimale Drainspannung, ab der sich eine Drain-Substrat-Kapazität nicht mehr ändert, reduziert ist. |
